- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Брэгговское отражение высококонтрастных фотонных кристаллов на основе композитов опал-полупроводник (GaP, GaN, GaPN)
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2007
Артикул:
7246 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Расчет энергетических характеристик гетероструктур и барьеров Шоттки, сформированных на политипах карбида кремния
- Анизотропные полупроводниковые датчики интенсивности излучения миллиметрового диапазона
- Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией
- Исследование неизотермической электрической релаксации заряда в кристаллах природного алмаза
- Спектроскопия адмиттанса полупроводниковых гетероструктур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN
- Мощный полевой транзистор на основе гетероструктуры (Al,Ga)N/GaN
- Электрофизические свойства твердых растворов на основе PbTe:Tl и SnTe:In при изовалентном замещении атомов в подрешетке халькогена
- Исследование методом эллипсометрии диэлектрических и полупроводниковых структур микроэлектроники
- Поляризационные оптические эффекты в системах нанопроволок
- Магнитотранспорт в GaAs/AlAs гетероструктурах в присутствии микроволнового излучения