- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2007
Артикул:
7266 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Низкоразмерные плазменные возбуждения в полупроводниковых туннельных структурах
- Тонкая структура нульмерных экситонов
- Явления переноса в полупроводниковых пленках
- Фотоэлектрические явления и эффект поля в квантово-размерных гетеронаноструктурах In(Ga)As/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией
- Брэгговское отражение поверхостных акустических волн Рэлея от ограниченной периодической системы неровностей на поверхности упругого тела
- Моделирование спектров фотопропускания и фотоотражения квантоворазмерных гетероструктур
- Структура, параметры и физико-химическая природа центров с глубокими уровнями в соединениях A2B6
- Квазиландауское магнитопоглощение \"ридберговских\" состояний экситона в полупроводниках
- Размерные эффекты и релаксационные явления в квазиодномерных проводниках с волной зарядовой плотности
- Оптические свойства фотонных кристаллов и волноведущих структур на их основе