- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2007
Артикул:
7266 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля
- Применение методов фотоэлектронной эмиссии на краях рентгеновского поглощения для исследования полупроводниковых структур и диэлектриков
- Электронные и оптические явления в системах кремниевых нанокристаллов
- Транспорт носителей заряда в проводящих полимерах вблизи перехода металл-диэлектрик
- Влияние электронного облучения и термообработки на электрические и оптические свойства кристаллов фосфида индия, легированного 3d -элементами
- Электрофизика пористого кремния и структур на его основе
- Исследование тонкопленочных структур на основе CdTe и их применение в солнечных батареях
- Фотоэлектрическая спектроскопия гетероструктур с квантовыми точками GaAs/InAs
- Особенности электрических и термоэлектрических свойств моносульфида самария, связанные с переменной валентностью ионов самария
- Оптические исследования точечных дефектов в ионно-имплантированном GaAs и GaAs, полученном низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксией