- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Физические принципы разработки термоэлектрических материалов на основе соединений кремния
Тип роботи:
диссертация доктора физико-математических наук
Рік:
2007
Кількість сторінок:
260
Артикул:
7280 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Влияние давления на гальваномагнитные свойства полупроводниковых соединений TlSe и его аналогов
- Транспорт тока, ЭПР и фотолюминесценция в пористом кремнии
- Электрические и фотоэлектрические явления в гетероструктурах и диодах Шоттки на основе полупроводников A3B5 и кремния и их применение в сенсорах водорода
- Мощные излучающие диоды на основе двойных гетероструктур в AlGaAs : Разработка и применение
- Дифосфид цинка-германия: синтез, кристаллизация и исследование дефектов структуры
- Атомно-молекулярные и электронные процессы на поверхности полупроводников, помещенных в диссоциированные газы
- Интегральное поглощение как функция отклика экситонных поляритонов в полупроводниковых кристаллах, твердых растворах и множественных квантовых ямах
- Новые аллотропные формы кремния : Получение и свойства
- Электронно-ионное взаимодействие и туннельный эффект в кремниевых структурах металл–окисел–полупроводник
- Исследование термоэлектрических свойств материалов Р-типа на основе соединений магния с элементами четвертой группы