Технология изготовления криоэлектронных информационно-измерительных приборов на основе слоистых структур высокотемпературных сверхпроводников

ВВЕДЕНИЕ
1. Анализ современного состояния технологии криоэлектронных информационноизмерительных приборов
1.1. Технология химической гомогенизации прекурсоров при синтезе высокотемпературных сверхпроводников УВа2Сиз5 и Вь8г2СаСи8х
1.2. Технология выращивания кристаллов высокотемпературных сверхпроводников УВа2Сиз и Вг2СаСи8х.
1.3. Технология получения тонких пленок высокотемпературных сверхпроводников УВа2Сиз.5 и В8г2СаСи8х.
1.4. Материалы подложек и буферных слоев для многослойных высокотемпературных сверхпроводников и элементов криоэлектронных
информационноизмерительных приборов.
Выводы.
2. Технологические процессы формирования многокомпонентных пленок высокотемпературных сверхпроводников.
2.1. Оптимизация технологического процесса формирования толстых В8г2СаСи8х пленок на подложках методом планирования эксперимента.
2.2. Технологическое оборудование для формирования многокомпонентных тонких пленок
2.3. Технологические процессы формирования многокомпонентных тонких пленок на основе магиетронного распыления на постоянном
2.4. Математическая модель формирования многокомпонентных тонких
пленок с использованием сложной мишени
3. Технологические процессы формирования многослойных высокотемпературных сверхпроводников
3.1. Технологический процесс формирования слоистой структуры В8г2СаСи8х УВа2Си7.б.
3.2. Влияние слоя нитрида алюминия на свойства слоистых структур, использующих высокотемпературные сверхпроводники В8г2СаСи2С8х
и УВа2Сиз..
Выводы.
4. Технология изготовления и исследование элементов криоэлектронных информационноизмерительных приборов на основе слоистых структур высокотемпературных сверхпроводников ВТСГ1.
4.1. Составные слоистые ВТСП магнитные экраны
4.2. Слоистый двухступенчатый ВТСП токоограничительвыключатель.
4.3. Управляемый ВТСП резистор.
4.4. ВТСП датчик температуры.
4.5. Криоэлектронный преобразователь импульсов.
Выводы.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Список литературы