СОДЕРЖАНИЕ
СПИСОК ПРИНЯТЫХ СОКРАЩЕНИЙ
ВВЕДЕНИЕ
Г лава 1 Современное состояние методов контроля и измерения параметров сверхтонких сегнетоэлектрических пленок
1.1 Применение наноразмерных сегнетоэлектрических пленок
1.2 Обзор методов получения сверхтонких сегнетоэлектрических пленок
1.3 Критический размер в сегнетоэлектрических наноструктурах
1.4 Обзор методов исследования сегнетоэлектрических пленок
Выводы к первой главе
Глава 2 Разработка теоретической модели, описывающей взаимосвязь структуры и свойств наноразмерных
сегнетоэлектрических материалов
2.1 Тензорное описание свойств материалов
2.2 Эффективные упругие, пьезоэлектрические и диэлектри
ческие характеристики нанополикрис галлова
2.3 Модель расчета свойств нанополикристалла
2.4 Характеристики нанополикристаллического
2.5 Характеристики нанопьезокерамики системы ЦТС
2.6 Расчет пьезоэлектрических модулей пористой
пьезокерамики
Выводы ко второй главе
Глава 3 Разработка инструментария и методов контроля . интегральных параметров сегнетоэлектрических пленок
толщиной менее 0 нм
3.1 Разработка макета стенда для измерения электрофизических и температурозависимых свойств диэлектрических пленок
толщиной менее 0 нм
3.2 Методика измерения электрофизических свойств септетоэлектрических пленок толщиной менее 0 нм
3.3 Измерение температурозависимых свойств сегнетоэлектрических пленок толщиной менее 0 нм
3.4 Исследование оптических свойств сверхтонких сегнетоэлектрических пленок
35 Исследование параметров сверхтонких сегне тоэлектрических пленок толщиной менее 0 нм методами ОЖЕ, ВИМС Выводы к третьей главе
Глава 4 Методы контроля в локальных областях параметров сверхтонких пленок сегнетоэлектриков с помощью СЗМ
4.1 Разработка технологии изготовления проводящих кантилеверов с покрытием на основе тугоплавких соединений для исследования сверхтонких пленок сегнетоэлектриков методами СЗМ
4.2 Изготовление тестовых структур на основе сверхтонких пленок сегнетоэлектриков
4.3 Разработка методики измерения в локальных областях характеристик сегнетоэлектрических пленок толщиной менее
0 нм с использованием сканирующей зондовой микроскопии
Выводы к четвертой главе
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ
- Київ+380960830922