- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Моделирование воздействия ионизирующих излучений на зарядовые свойства структур poly-Si-SiO2 (P)-Si
Тип роботи:
Дис. канд. физ.-мат. наук
Рік:
2006
Артикул:
7325 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Кинетические коэффициенты прыжкового переноса и плотность электронных состояний в неупорядоченных системах с сильной локализацией носителей заряда
- Генерационно-рекомбинационные эффекты горячих носителей заряда в компенсированных полупроводниках
- Исследование физических процессов в многослойных полупроводниковых структурах, выключаемых током управления
- Энергетический спектр электронных и колебательных состояний в полупроводниковых нанокристаллах
- Анизотропные полупроводниковые датчики интенсивности излучения миллиметрового диапазона
- Влияние электрического поля на электронные процессы в стеклообразных полупроводниках
- Диагностика квантовых ям в системе (In, Ga)As/GaAs методом стационарной емкостной спектроскопии
- Спиновые и кинетические явления в наноструктурах и графене
- Исследование структуры поверхности кремния по оптическому отражению
- Электрические и фотоэлектрические свойства полупроводниковых сплавов n-Bi1-xSbx