- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Длительная кинетика люминесценции зона-примесь в GaAs и тв#рдых растворах на его основе
Тип роботи:
Дис. канд. физ.-мат. наук
Рік:
2006
Артикул:
7331 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Особенности концентрационных профилей при неизотермической диффузии в полупроводниках
- Газовые сенсоры на основе пленок SnO2-x для Электронного носа
- Электронное состояние поверхности GaAs и InP : Диагностика, управление, пассивация
- Спектроскопия адмиттанса полупроводниковых гетероструктур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN
- Выращивание, структурные особенности и свойства монокристаллов кремния с заданной двойниковой структурой
- Электрофизические свойства кремниевых МДП-структур с оксидами гадолиния, иттербия, лютеция и самария в качестве диэлектрика
- Эффекты спин-орбитального взаимодействия в двумерном электронном газе
- Влияние процессов фазообразования на фотоэлектрические свойства поликристаллических пленок селенида свинца
- Функциональные характеристики элементов энергонезависимой памяти на основе халькогенидных полупроводников
- Точечные дефекты и фотоэлектрические свойства эпитаксиальных структур Cd x Hg1-x Te, выращенных методами парофазной и молекулярно-лучевой эпитаксии