- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Влияние неоднородности толщины диэлектрика на свойства туннельных МОП структур Al/(1-4 нм)SiO2/Si
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2006
Кількість сторінок:
146
Артикул:
7354 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Долгоживущая спиновая поляризация в наноструктурах с квантовыми ямами и квантовыми точками
- Исследование эффектов пространственной неоднородности накачки и оптического поля в полосковых инжекционных лазерах и полупроводниковых оптических усилителях
- Электронная структура дефектов в оксиде и нитриде кремния
- Электрические свойства ионно-легированных и эпитаксиальных p-n переходов на основе фосфида галлия
- Оптическая спектроскопия водородных и углеродных центров в полупроводниках
- Деградационные процессы и низкочастотный шум в полупроводниковых светоизлучающих структурах
- Моделирование спектров фотопропускания и фотоотражения квантоворазмерных гетероструктур
- Исследование пленок нитрида галлия, выращенных методом хлоридгидридной газофазной эпитаксии
- Экситонная спектроскопия гетероструктур на основе широкозонных II-VI полупроводников
- Исследование зонной структуры легированного антимонида галлия