- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Полупроводниковые гетероструктуры с Ge/Si квантовыми точками для излучающих приборов на основе кремния
Тип роботи:
Дис. канд. физ.-мат. наук
Рік:
2005
Артикул:
7409 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Влияние преципитации и изоэлектронной ионной имплантации на дефектообразование в монокристаллическом кремнии
- Мощные излучающие диоды на основе двойных гетероструктур в AlGaAs
- Переход металл-изолятор в пленочных структурах на основе оксидов переходных металлов
- Свойства гетероэпитаксиальных структур 3C-SiC/Si, полученных химическим газотранспортным методом, и тензопреобразователи на их основе
- Квантовые явления в 2D наноструктурах пониженной симметрии
- Пространственное распределение, накопление и отжиг дефектов в ионно-легированном кремнии
- Влияние положительного и отрицательного давления на фазовый переход в некоторых широкощельных, узкощельных и слоистых сегнетоэлектриках
- Исследование процессов разогрева и ударного размножения носителей заряда, возбуждаемых ИК излучением в полупроводниковых контактных структурах
- Физические свойства и структурные особенности легированных германием монокристаллов кремния, выращенных в условиях жидкостной подпитки
- Влияние атомарного водорода на свойства тонких эпитаксиальных слоев n-GaAs и структур на их основе