- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Электрофизические свойства твердых растворов на основе PbTe: Tl и SnTe: In при изовалентном замещении атомов в подрешетке халькогена
Тип роботи:
Tl и SnTe
Рік:
2005
Артикул:
7415 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Мощный полевой транзистор на основе гетероструктуры (Al,Ga)N/GaN
- Гетеропереходы II типа на основе узкозонных полупроводников A3B5 : оптические и магнитотранспортные свойства
- Исследование влияния СВЧ-излучения высокого уровня мощности на структуры с p-n-переходом
- Исследование гетероструктур в системе In-Ga-As-P и разработка на их основе перестраиваемого одномодового гетеролазера и мощного суперлюминесцентного диода : λ = 1.3-1.55 мкм
- Электронные состояния в квантово-размерных и дефектных полупроводниковых структурах
- Диффузионные структуры на основе арсенида галлия, легированного Fe и Cr
- Электронная структура, геометрия и спиновые свойства монофталоцианинов переходных металлов и элементов III и IV группы
- Сенсибилизация кристаллов силленитов для создания устройств преобразования сигналов
- Электронный транспорт в GaAs структурах при радиационном воздействии
- Люминесцентная спектроскопия электронных и примесных состояний в эпитаксиальных слоях и наногетероструктурах на основе полупроводников AIIIBV и их твердых растворов