- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Исследование электронных свойств бесщелевых Cd(x)Hg(1-x)Te, HgTe, HgSe и узкощелевых (TlBiS2)x - (TlBiSe2)1-x полупроводников методом эффекта поля в системе полупроводник - электролит
Тип роботи:
Дис. канд. физ.-мат. наук
Рік:
2005
Артикул:
7416 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Зонная структура, динамика решетки и явления переноса в некоторых сложных алмазоподобных полупроводниках
- Особенности электронно-энергетического строения наноразмерных структур на основе кремния и фосфидов типа А3В5
- Диагностика квантовых ям в системе (In, Ga)As/GaAs методом стационарной емкостной спектроскопии
- Газовые сенсоры на основе пленок SnO2-x для Электронного носа
- Электронный транспорт в полупроводниковых наноструктурах, связанный с эффектом фотонного увлечения и диссипативным туннелированием
- Дислокационные термоэлектрические и термомагнитные эффекты в щелочногалоидных кристаллах
- Процессы излучательной рекомбинации в пленках оксида цинка и гетероструктурах на их основе
- Исследование методом эллипсометрии диэлектрических и полупроводниковых структур микроэлектроники
- Локализованные состояния и флуктуации в графене
- Механизм релаксационных процессов в поливинилиденфториде