- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Перестраиваемые лазеры на основе гетероструктур InAsSb/InAsSbP, работающие в спектральном диапазоне 3-4 мкм
Тип роботи:
Дис. канд. физ.-мат. наук
Рік:
2004
Артикул:
7423 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Оптические свойства структур с квантовыми точками в системе (In, Ga, Al)As
- Исследование фотоэлектрических процессов в фотоприемниках на основе диодов Шоттки и приборов с зарядовой связью
- Взаимодействие акустических волн и лазерных пучков с индуцированными решетками и доменными структурами в сегнетополупроводниковых кристаллах ниобата лития
- Полупроводниковые наноструктуры CdSe/ZnSe, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии: самоформирование, свойства и применение в оптоэлектронике
- Исследование морфологии и электронных свойств поверхности пленок AIIIBV и контактов металла/AIIIBV методом атомно-силовой микроскопии
- Влияние состава и толщин слоев на электрофизические свойства квантово-размерных структур на основе ZnCdS/ZnSSe, ZnSSe/ZnMgSSe
- Периодические оптические неоднородности в полупроводниковых волноводных гетероструктурах
- Особенности электропереноса в полупроводниковых материалах на основе сульфидов самария
- Разработка физических основ создания градиентных стеклообразных диэлектриков
- Динамические процессы в полупроводниках с мелкими донорами в условиях примесного пробоя