- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Экситоны, связанные на изоэлектронных примесях в многодолинных полупроводниках с вырожденными зонами азот и висмут в GaP
Тип роботи:
азот и висмут в GaP Ленинград, 1985 192 c.
Рік:
1985
Артикул:
7514 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Спектроскопия глубоких уровней в полупроводниковых структурах
- Процессы намагничивания, спинового транспорта и спиновой динамики в наноразмерных планарных структурах с ферромагнитными слоями
- Моделирование и расчет тепловых, электрических свойств сегнетоэлектрических и полупроводниковых материалов твердотельной электроники
- Кинетические явления в твердотельных электронных биллиардах
- Высокочастотные и тепловые свойства идеальных и примесных антиферромагнитных диэлектриков
- Влияние электрического поля на процессы формирования низкочастотного шума в барьерах Шоттки
- Многоэлементные фотоприемники с интегральным принципом формирования сигнала для систем обработки оптической информации
- Структура и проводимость тонких пленок жидкого диэлектрика на поверхности твердого тела
- Стимулированное дальнее ИК-излучение в одноосно деформированном p-Ge и напряженных гетероструктурах SiGe/Si
- Влияние условий роста на структуру и свойства эпитаксиальных слоев (SiC)1-x (AlN) x