- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Экситоны, связанные на изоэлектронных примесях в многодолинных полупроводниках с вырожденными зонами азот и висмут в GaP
Тип роботи:
азот и висмут в GaP Ленинград, 1985 192 c.
Рік:
1985
Артикул:
7514 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Оптические свойства анизотропных кремниевых структур
- Электронная структура, геометрия и спиновые свойства монофталоцианинов переходных металлов и элементов III и IV группы
- Коллективные явления в суперионных проводниках
- Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля
- Спектры спинволновых возбуждений доменных границ в сильно- и слабоанизотропных ферримагнетиках
- Влияние условий роста на структуру и свойства эпитаксиальных слоев (SiC)1-x (AlN) x
- Взаимосвязь процессов лавинной инжекции горячих электронов и генерации поверхностных дефектов в системе кремний-двуокись кремния
- Брэгговское отражение поверхостных акустических волн Рэлея от ограниченной периодической системы неровностей на поверхности упругого тела
- Создание и исследование спонтанных источников света для средней ИК-области спектра на основе узкозонных полупроводников А3В5
- Исследование фотоэлектрических свойств неоднородных пленок CdS-PbS и структур на их основе