- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Влияние поляризации фононов на перенос фононов в полупроводниках и диэлектриках
Тип роботи:
ил РГБ ОД 61
Рік:
1061
Артикул:
7527 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Фотолюминесцентная спектроскопия полупроводниковых наноструктур с планарно-неоднородными слоями
- Исследование диффузии цинка из полимерных диффузантов в полупроводники A3 B5
- Исследование электронной и атомной структуры систем Gd/GaAs(110) и Dy/GaAs(110) в широком интервале температур
- Формирование многослойных гетерофазных структур в имплантированном ионами кремнии
- Дефекты и проводимость ионно-имплантированного аморфного кремния
- Структура и проводимость тонких пленок жидкого диэлектрика на поверхности твердого тела
- Взаимодействие носителей заряда с акустическими фононами в низкоразмерных полупроводниковых системах
- Исследование процессов переноса заряда в p-n переходах, изготовленных на основе CdHgTe (X?0.22) и их изменений при механическом и температурном воздействиях
- Высокоэффективные излучающие приборы на основе гетероструктур AlGaInN
- Компьютерное моделирование эволюции поверхности и захвата примеси при кристаллизации из молекулярного пучка