Вы здесь

Теоретическое исследование оптических свойств полупроводниковых лазерных структур на основе нитридов металлов III группы

Автор: 

Бугров Владислав Евгеньевич

Тип работы: 

Кандидатская

Год: 

1998

Артикул:

1000213920

179 грн

Добавить в корзину

• 
• 
• 

Рекомендуемые диссертации

• Исследование физической природы гетеропереходов органический-неорганический полупроводник и их применение
• Длинноволновые фоторезисторы на основе полупроводниковых ?-легированных сверхрешеток и ИК матрицы с большим временем накопления фотосигнала
• Полупроводниковые наноструктуры CdSe/ZnSe, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии: самоформирование, свойства и применение в оптоэлектронике
• Процессы испарения и кристаллизации окисных слоёв на германии
• Динамика рекомбинации неравновесных носителей заряда в наноструктурах пористого кремния
• Влияние бомбардировки полупроводников заряженными частицами на их электронное возбуждение диссоциированными газами
• Электрические свойства ионно-легированных и эпитаксиальных p-n переходов на основе фосфида галлия
• Разработка, исследование свойств и оптимизация характеристик мощных InGaAsP/InP лазеров
• Особенности излучательной рекомбинации низкоразмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs и GaAs/AlGaAs
• Морфология эпитаксиальных слоёв при неизотропной атомной диффузии : Моделирование