Розширення області безпечної роботи потужних напівпровідникових приладів з об'ємними ділильними шарами.

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ……………………………………………………………………………
РАЗДЕЛ 1. ФИЗИКО-КОНСТРУКТИВНЫЕ МЕТОДЫ ПОВЫШЕНИЯ ПРЕДЕЛЬНОГО НАПРЯЖЕНИЯ И
ОБЛАСТИ БЕЗОПАСНОЙ РАБОТЫ (ОБР) КРЕМНИЕВЫХ ПРИБОРОВ…………………………………………
1.1. Основные типы и области применения мощных полупроводниковых
приборов……………………………………………………………….
1.2. Обеспечение динамических и статических параметров высоковольт­ных
импульсных диодов………………………………….…
1.2.1. Структура диодов с ограниченной рекомбинационной обла­стью базы
p+-H-n-n+……………………………………….
1.2.2. Структура диода с гетерогенными по площади рекомбинаци­онными
свойствами…………………………….…………………
1.2.3. Охранные и делительные кольца в структуре диодов на основе p-n перехода
и барьера Шоттки.…………………………………
1.2.4. Матричная структура импульсных диодов с комбинацией барьера Шоттки и p-n
перехода и объемным делительным слоем в
базе…………………………………………………………………
1.3. Биполярные дискретные и составные транзисторы с расширенной областью
безопасной работы………………………………………………….
1.3.1. Балластные сопротивления в многоэмиттерных и многострук­турных
транзисторах……………………………………………….
1.3.2. Распределенные технологические шунты в эмиттере…………
1.3.3. Обеспечение однородности распределения плотности тока при выключении
транзистора………………………………………….
1.3.4. Гетероструктурные транзисторы…………………………………
1.3.5. Структура транзистора с трехслойным коллектором………
1.3.6. Структура транзистора с объемным делительным слоем в теле
коллектора…………………………………………………………
1.4. Полевые и инжекционно-полевые приборы…………………………….
1.4.1. Полевые транзисторы с изолированным затвором с суперпере­ходами в
области стока……………………………
1.4.2. МДП-транзисторы с объемным делительным слоем в области
стока…………………………………………………………………
1.4.3. Латеральный высоковольтный МДП-транзистор (RESURF).
1.4.4. Биполярные транзисторы с изолированным затвором IGBT.
1.4.5. Тиристоры со статической индукцией SITh……………………
1.4.6. Тиристоры с полевым управлением MCT………………………
1.4.7. Запираемые тиристоры с единичным усилением IGCT……….
1.5. Выводы по
разделу ………………………………………………………
РАЗДЕЛ 2. ОБЪЕМНЫЙ ДЕЛИТЕЛЬНЫЙ СЛОЙ (ОДС) – НОВЫЙ КОНСТРУКТИВНЫЙ ЭЛЕМЕНТ
ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ………………………………….…
2.1. Одномерная модель распределения поля в диодной структуре с объемным
делительным слоем………………………………………………….
2.2. Распределение потенциала в структуре диода Шоттки с ОДС……….
2.3. Повышение допустимого напряжения биполярного транзистора в схеме с общим
эмиттером……………………………………………………
2.4. Выводы по
разделу ………………………………………………………
РАЗДЕЛ 3. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ РЕАЛИЗАЦИИ ОДС В СТРУКТУРЕ И СРАВНИТЕЛЬНЫЕ
ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНЗИСТОРА……………………………………………………………….
3. Структура и топология кристаллов базового и модернизированного типов
транзистора…………………………………………………………………
3. Отработка технологических операций……………………………………
3. Технологический маршрут изготовления транзисторов с объемным делительным
слоем в теле коллектора…………………….……………………
3. Сравнительные характеристики основных параметров ключевого транзистора с
ОДС…………………………………………………….……………
3.5. Выводы по
разделу ……………………………………………….….…
РАЗДЕЛ 4. ИССЛЕДОВАНИЯ ПРЯМОЙ СТАЦИОНАРНОЙ ОБЛАСТИ БЕЗОПАСНОЙ РАБОТЫ
ТРАНЗИСТОРА…………………………………
4. Основные характеристики и пути расширения области безопасной
ра­боты………………………………………………………………………….…
4. Тепловая и токовая формы вторичного пробоя в биполярном
транзи­сторе…………………………………………………………………………….
4. Структуры кристаллов исследуемых транзисторов……………………
4. Методика и схема измерения стационарной ОБР……………………….
4. Результаты экспериментальных исследований………………………….
4.6. Выводы по
разделу …………………………………………………….
АНАЛИЗ ОБРАТНОЙ ИЛИ ДИНАМИЧЕСКОЙ ОБЛАСТИ БЕЗОПАСНОЙ РАБОТЫ
ТРАНЗИСТОРА…………………………………………….……
5. Влияние характера нагрузки на переходные процессы транзисторного
ключа………………………………………………………………………
5. Предельное динамическое напряжение коллектор-эмиттер……….….
5. Распределение плотности тока эмиттера при запирании
транзи­стора……………………………………………………………………….
5.4. Выводы по
разделу ……………………………………………………
ПОВЫШЕНИЕ БЫСТРОДЕЙСТВИЯ ТРАНЗИСТОРОВ С ОБЪЕМНЫМ ДЕЛИТЕЛЬНЫМ
СЛОЕМ…………………………………………………
6. Влияние облучения б-частицами на рекомбинационные свойства
кремния…………………………………………………………….……….…
6. Повышение быстродействия мощного биполярного транзистора с
ра­диационно-термической обработкой……………………………
6.3. Выводы по
разделу ………………………………………………….
ЗАКЛЮЧЕНИЕ…………………………………………………………………….…
СПИСОК