- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Оптичні та фотоелектричні властивості твердотільних структур метал-напівпровідник (GaAs,InP, Si) з перехідним шаром
Тип роботи:
Дис. канд. наук
Рік:
1999
Артикул:
0499U003047 (Д) 129 грн
Рекомендовані дисертації
- Оцінювання конкурентоспроможності промислового підприємства на зовнішньому ринку
- Основні закономірності формування доменної структури у сегнетоеластиках і багатоосьових сегнетоелектриках.
- Структура та надпровідність напівпровідних гетероструктур халькогенидів свинцю, олова та рідкісноземельних металів
- Гальваномагнітні явища в органічних шаруватих провідниках.
- Формування субмікрокристалічної структури і властивостей металів методами комбінованої пластичної деформації
- Селективні процеси при знижених коефіцієнтах конденсації
- Еліпсометрія надграток і розупорядкованих поверхонь монокристалів GaAs і Si
- Теоретико - методологічні засади ефективного розвитку та функціонування аграрно - промислових формувань.
- Фізіко - технічні аспекти створення сучасних оптичних носіїв для запису та збереження інформації
- Дослідження структури і молекулярної рухливості в натоліті за формою спектру ЯМР