- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Оптичні та фотоелектричні властивості твердотільних структур метал-напівпровідник (GaAs,InP, Si) з перехідним шаром
Тип роботи:
Дис. канд. наук
Рік:
1999
Артикул:
0499U003047 (Д) 129 грн
Рекомендовані дисертації
- Структура і фізико-механічні властивості вакуумно-дугових наноструктурних Ti-N i Mo-N покриттів
- Модифікація структури і властивостей NbTi надпровідників з використанням рівноканального багатокутового пресування
- Ефекти просторового перерозподілу "гарячих" носіїв заряду в напівпровідниках і гетероструктурах
- Структура та властивості композитів на основі гексабориду лантану, отриманих спрямованою кристалізацією
- Електродифузія іонів як спосіб керування концентрацією мілких донорів у сульфіді кадмію
- Нерівноважні фазові перетворення в кристалах, індуковані зовнішнім опроміненням
- Динамічна теорія ефектів взаємодії бреггівського і дифузного розсіяння в кристалах з мікродефектами і макродеформацією
- Удосконалення методів оцінки та управління господарським ризиком підприємства залізничного транспорту
- Вплив локальних структурних дефектів на розсіяння рентгенівських променів та магнітну сприйнятливість кисневомістких кристалів кремнію
- Iонолюмiнесценцiя широкозонних твердих тiл у метастабiльному станi