- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Кинетические явления в тонкопленочных структурах n-InSb, In1-xGaxSb, n-InSb-SiO2-p-Si
Тип роботи:
докторская
Рік:
2001
Кількість сторінок:
263
Артикул:
138281 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Исследование и применение эффекта пространственного расщепления нейтронного пучка в магнитных средах
- Электропроводность галогенидов аммония и фуллерена при высоких давлениях
- Особенности электронного строения и поверхностных свойств полупроводниковых наноструктур для фотоники
- Особенности магнитных и магнитоупругих свойств кристаллов с комбинированной анизотропией
- Исследование начальной стадии развития полос скольжения в щелочно-галоидных кристаллах
- Флуктуационные и когерентные явления в гранулированных сверхпроводниках
- Исследование процесса проскальзывания фазы в сверхпроводящей нанопроволоке
- Влияние граничных условий на зарядовую неустойчивость в полимерных пленках
- Генерирование и отжиг радиационных дефектов в структурах металл-окись-полупроводник
- Эффект памяти формы в никелиде титана и сплавах на его основе при сложных режимах термосилового воздействия