- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной
Тип роботи:
Докторская
Рік:
2012
Артикул:
325000 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Исследование электрических и оптических свойств дислокационных сеток в кремнии
- Полупроводниковые вертикально-излучающие лазеры на основе самоорганизующихся квантоворазмерных гетероструктур в системе материалов InGaAs-AlGaAs
- Мощные излучающие диоды на основе двойных гетероструктур в AlGaAs : Разработка и применение
- Межзеренный фотовольтаический эффект в тонкопленочных сегнетоэлектрических структурах M/Pb(Zr,Ti)O3/M
- Исследование одноэлектронных и двухэлектронных примесных центров в полупроводниках методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии
- Эффекты спин-орбитального взаимодействия в двумерном электронном газе
- Поверхностная миграционная нестабильность МДП - структур
- Генерационно-рекомбинационные процессы в кремниевых лавинных диодах
- Теория оптических и акустоэлектрических явлений, связанных с аномалиями в пространственной дисперсии, полевой и деформационной зависимостях диэлектрических откликов кристаллов
- Особенности оптических свойств сильно легированного GaAs