- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной
Тип роботи:
Докторская
Рік:
2012
Артикул:
325000 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Исследование влияния добавок Pb, Sn, Tl, Bi на электрофизические свойства систем Ge-Se и Ga-Te
- Омические контакты металл-карбид кремния
- Эволюция фотолюминесценции пористого кремния при непрерывном лазерном облучении
- Компьютерное моделирование роста наноструктур
- Явления переноса в полупроводниковых пленках
- Электрофизические свойства диэлектриков и полупроводников при фазовом переходе твердое-жидкое
- Морфологические свойства нано- и микроструктур, сформированных на подложках кристаллического и пористого кремния
- Взаимосвязь процессов лавинной инжекции горячих электронов и генерации поверхностных дефектов в системе кремний-двуокись кремния
- Поляризационная спектроскопия полупроводниковых микрорезонаторов Фабри-Перо на основе гидрогенизированного аморфного кремния
- Термоэлектрические свойства гетерофазных структур