- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Стимулированное дальнее ИК-излучение в одноосно деформированном p-Ge и напряженных гетероструктурах SiGe/Si
Тип роботи:
Докторская
Рік:
2002
Артикул:
452748 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Перестраиваемые ИК-лазеры на основе InAs и его твердых растворов
- Гетероструктуры на основе халькогенидов европия и свинца
- Морфология гетерограниц и транспорт двумерных электронов в GaAs квантовых ямах с AlAs/GaAs сверхрешёточными барьерами
- Светодиоды и фотоприемники для средней ИК-области спектра на основе изопериодных гетероструктур II типа в системе GaSb-InAs
- Генерационно-рекомбинационные процессы в неоднородных полупроводниковых структурах
- Исследование длинновременной релаксации интенсивности ФЛ (эффекта \"усталости\" ФЛ) в халькогенидных стеклообразных полупроводниках
- Электрические и фотоэлектрические явления в гетероструктурах и диодах Шоттки на основе полупроводников A3B5 и кремния и их применение в сенсорах водорода
- Развитие рентгеновской дифрактометрии и рефлектометрии высокого разрешения для исследования многослойных гетероструктур
- Разработка методики и изучение ультраакустических свойств расплавов полуметаллов и полупроводников
- Электромагнитные колебания периодически-неоднородной плазмы полупроводников во внешних полях