Ви є тут

Перестраиваемые ИК-лазеры на основе InAs и его твердых растворов

Автор: 

Ременный Максим Анатольевич

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1998

Артикул:

1000212204

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Спектры краевой фотолюминесценции эпитаксиальных слоев GaAs, InGaAs, InGaAsP в условиях флуктуаций легирования и состава
• Процессы синтеза и дефектообразования в тройных полупроводниках для нелинейной оптики ИК-диапазона
• Электрические и рекомбинационные свойства нейтронно-легированных твердых растворов Si1-x Ge x со стороны кремния
• Влияние субмонослойных металлических пленок на работу выхода полупроводниковых материалов
• Исследование физической природы гетеропереходов органический-неорганический полупроводник и их применение
• Физические основы технологии ядерного легирования In-содержащих полупроводниковых соединений AIIIBV
• Локализация и баллистический транспорт носителей тока в кремниевых наноструктурах
• Эффекты зарядовой компенсации в модифицированных слоях SiO_2 на кремнии
• Фотоэлектрические преобразователи энергии на основе антимонида галлия и твердых растворов GaInAsSb
• Исследование электрофизических свойств двухкомпонентной слоистой структуры, состоящей из жидких органических веществ