- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Стимулированная рекомбинация в полупроводниковых лазерах ближнего ИК-диапазона при высоких уровнях токовой накачки
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2007
Кількість сторінок:
114
Артикул:
7243 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Влияние взаимодействия примесей с глубокими уровнями Mn, Ni и Fe на их распределение и спектр энергетических уровней в кремнии
- Физические свойства и структурные особенности легированных германием монокристаллов кремния, выращенных в условиях жидкостной подпитки
- Периодические неоднородности, сформированные на поверхности полупроводниковых приборов с гетеропереходом
- Оптическая и магнитооптическая спектроскопия ZnSe и низкоразмерных гетеросистем на его основе
- Излучательная рекомбинация дырок на уровнях размерного квантования в дельта- ?-легированном арсениде галлия
- Влияние локализованных состояний аморфного гидрогенизированного кремния на свойства области пространственного заряда в тонкопленочных структурах
- Исследование неравновесных электронных процессов в германии с примесями халькогенов
- Транспортные свойства твердотельных электронных биллиардов
- Исследование фотолюминесценции легированных композитных пленок PbSe и твердых растворов Pb1-xCdxSe
- Влияние неоднородности толщины диэлектрика на свойства туннельных МОП структур Al/(1-4 нм)SiO2/Si