- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Светоизлучающие приборы на основе квантовых точек InGaN: технология эпитаксиального выращивания и исследование свойств
Тип роботи:
технология эпитаксиального выращивания и исследов
Рік:
2006
Артикул:
7346 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Преципитация кислорода в кремнии, легированном цирконием
- Эффект поля, зарядовые состояния и ИК фотопроводимость в гетероструктурах на основе Si с квантовыми точками Ge
- Свойства гетероструктур карбида кремния на кремнии и изоляторе в области сверхвысоких частот
- Фізичні властивості твердих розчинів із стехіометричними вакансіями на основі сульфіду та селеніду ртуті
- Исследования электронных процессов в полупроводниках с областями пространственногол заряда
- Исследование структурных и электрофизических характеристик пленок на основе ?-Si:H, полученных в плазме НЧ разряда
- Поведение примеси марганца в некоторых полупроводниковых соединениях типа А3В5
- Коллективные явления в суперионных проводниках
- Внутризонные инверсии населенности и поглощение излучения среднего инфракрасного диапазона в квантовых ямах на основе соединений AIIIBV
- Новые аллотропные формы кремния