- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Светоизлучающие приборы на основе квантовых точек InGaN: технология эпитаксиального выращивания и исследование свойств
Тип роботи:
технология эпитаксиального выращивания и исследов
Рік:
2006
Артикул:
7346 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Особенности электропереноса в полупроводниковых материалах на основе сульфидов самария
- Насыщение усиления и нелинейные эффекты в полупроводниковых лазерах с периодическими оптическими неоднородностями
- Моделирование и экспериментальное исследование преципитации кислорода в кремнии
- Интегральное поглощение как функция отклика экситонных поляритонов в полупроводниковых кристаллах, твердых растворах и множественных квантовых ямах
- Исследование пленок нитрида галлия, выращенных методом хлоридгидридной газофазной эпитаксии
- Физико-химические процессы в МОП-структурах, облученных альфа- и бета-частицами
- Энергетический спектр и вертикальная прыжковая проводимость сверхрешеток с контролируемым беспорядком
- Спин-зависимые и нелинейно-оптические явления при внутризонном поглощении в полупроводниковых структурах
- Механизмы излучательной рекомбинации в гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами
- Оптические явления в соединениях Pb1-xSnxTe обусловленные свободными носителями