Ви є тут

Исследование гетероструктур в системе In-Ga-As-P и разработка на их основе перестраиваемого одномодового гетеролазера и мощного суперлюминесцентного диода : ? = 1.3-1.55 мкм

Автор: 

Пихтин Никита Александрович

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

2000

Артикул:

452749

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Вейвлет-анализ шумовых процессов в полупроводниковых структурах
• Влияние спонтанной поляризации на энергетические характеристики гетероструктур на основе политипов карбида кремния
• Исследование морфологии и электронных свойств поверхности пленок AIIIBV и контактов металла/AIIIBV методом атомно-силовой микроскопии
• Электрические и рекомбинационные свойства нейтронно-легированных твердых растворов Si1-x Ge x со стороны кремния
• Исследование скоплений компенсирующих центров в полупроводниках и их взаимодействия с точечными собственными дефектами
• Полупроводниковые гетероструктуры с квантовыми точками : Получение, свойства, лазеры
• Анизотропные полупроводниковые датчики интенсивности излучения миллиметрового диапазона
• Исследование структурных и электрофизических характеристик пленок на основе α-Si:H, полученных в плазме НЧ разряда
• Напряженные квантово-размерные структуры и сверхрешетки в системе InGaAsP/InP
• Физико-химические процессы в МОП-структурах, облученных альфа- и бета-частицами