Вы здесь

Исследование гетероструктур в системе In-Ga-As-P и разработка на их основе перестраиваемого одномодового гетеролазера и мощного суперлюминесцентного диода : ? = 1.3-1.55 мкм

Автор: 

Пихтин Никита Александрович

Тип работы: 

Кандидатская

Год: 

2000

Артикул:

452749

179 грн

Добавить в корзину

• 
• 
• 

Рекомендуемые диссертации

• Физические процессы определяющие прочность и долговечность волоконных световодов
• Неравновесные распределения и дальнее инфракрасное излучение горячих носителей заряда в одноосно деформированном германии и в электронно-дырочной плазме кремния
• Морфология эпитаксиальных слоёв при неизотропной атомной диффузии : Моделирование
• Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота слоев и гетероструктур в системе (Al,Ga)N с высоким содержанием Al для ультрафиолетовой оптоэлектроники
• Размерные эффекты и релаксационные явления в квазиодномерных проводниках с волной зарядовой плотности
• Процессы синтеза и дефектообразования в тройных полупроводниках для нелинейной оптики ИК-диапазона
• Магнитооптика квазиодномерных и квазинульмерных полупроводниковых структур с примесными центрами
• Влияние отжига, электронного облучения и упругой деформации на проводимость слоев пористого кремния с различной морфологией
• Взаимодействие зарядов на границах раздела конденсированных сред и в слоистых системах
• Механизм и условия формирования скрытых слоев монокристаллической фазы дисилицида кобальта в кремнии в процессе ионно-лучевого синтеза