- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Исследование излучательных характеристик гетероструктур InGaAsP/IпР и лазеров на их основе
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
1983
Артикул:
452775 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Спектры краевой фотолюминесценции эпитаксиальных слоев GaAs, InGaAs, InGaAsP в условиях флуктуаций легирования и состава
- НЕЛИНЕЙНАЯ ДИНАМИКА ШНУРОВ ТОКА И ФРОНТОВ ИОНИЗАЦИИ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРАХ КЛЮЧЕВОГО ТИПА
- Влияние электронного облучения и термообработки на электрические и оптические свойства кристаллов фосфида индия, легированного 3d -элементами
- Развитие метода эффективной массы для анализа электронных состояний в полупроводниковых гетероструктурах
- Влияние субмонослойных металлических пленок на работу выхода полупроводниковых материалов
- Спиновая релаксация в массивах туннельно-связанных Ge/Si квантовых точек
- Влияние преципитации и изоэлектронной ионной имплантации на дефектообразование в монокристаллическом кремнии
- Фотоэлектронные процессы в наноструктурированном кремнии со спиновыми центрами
- Оптическая и магнитооптическая спектроскопия квантоворазмерных (In, Ga)As/GaAs гетероструктур
- Кинетические свойства полупроводниковых кристаллов, легированных магнитными примесями