- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Полупроводниковые перестраиваемые лазеры среднего и дальнего ИК диапазона
Тип роботи:
Докторская
Рік:
1983
Артикул:
452780 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Поведение примеси марганца в некоторых полупроводниковых соединениях типа А3В5
- Механизмы токопереноса в поверхностно-допированных полупроводниковых газовых сенсорах
- Особенности распределения заряженных центров в области пространственного заряда оптоэлектронных структур при их формировании, термополевых и радиационных воздействиях
- Влияние неоднородности толщины диэлектрика на свойства туннельных МОП структур Al/(1-4 нм)SiO2/Si
- Неравновесная проводимость полупроводников и структур металл - полупроводник - металл
- Статические, динамические и пороговые характеристики быстродействующих гетеролазеров
- Аномальный эффект Косселя в полупроводниковых структурах
- Релаксация неравновесного обеднения на поверхности кремния при сильных электрических полях
- Фотоэлектрические свойства и фотоструктурные превращения в халькогенидных стеклообразных полупроводниках твердых растворов (As2 S3)x . (As2 Se3)1-x , легированных металлами.
- Контактные явления в тонкопленочных структурах на основе аморфных As2S3 и Sb2S3