- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Модификация приповерхностных слоев Si, GaN и ?-C:H облучением ионами PFn средних энергий
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
2013
Артикул:
453549 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Полупроводниковые лазеры среднего инфракрасного диапазона, работающие на модах шепчущей галереи
- Влияние реальных параметров случайного поля на кинетику носителей заряда в неупорядоченных полупроводниках
- Влияние условий роста на структуру и свойства эпитаксиальных слоев (SiC)1-x (AlN) x
- Исследование влияния структурного совершенства и физико-химических обработок поверхности кремния на характеристики силовых диодов
- Взаимодействие вакуумного ультрафиолетового излучения с тонкими неорганическими пленками
- Полупроводниковые самоорганизованные наноматериалы - нелинейные системы с фрактальной размерностью
- Исследование электрофизических свойств фоторезисторов на основе PbS
- Электронные процессы в системе Me-Ga2Se3-(SiOx)Si с различными металлическими контактами
- Оптические и структурные свойства квантовых точек (In,Ga,Al)As на подложках арсенида галлия для светоизлучающих приборов диапазона 1.3-1.55 мкм
- Исследование электронных свойств бесщелевых Cd(x)Hg(1-x)Te, HgTe, HgSe и узкощелевых (TlBiS2)x - (TlBiSe2)1-x полупроводников методом эффекта поля в системе полупроводник - электролит