- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Модификация приповерхностных слоев Si, GaN и ?-C:H облучением ионами PFn средних энергий
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
2013
Артикул:
453549 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Мощный полевой транзистор на основе гетероструктуры (Al,Ga)N/GaN
- Влияние флуктуаций состава на электронные свойства твердых растворов полупроводников
- Теория энергетического спектра кристаллического теллура и селена
- Применение модели потенциала нулевого радиуса к теории фотоионизации глубоких примесных центров в полупроводниках
- Эффект замороженной туннельной фотопроводимости в двумерной электронной системе приповерхностного ?-легированного слоя в GaAs
- Диффузионные структуры на основе арсенида галлия, легированного Fe и Cr
- Структура и электрофизические свойства полупроводниковых металлооксидных нанокомпозитов при взаимодействии с газами
- Полупроводниковые слои и гетероструктуры на основе халькогенидов цинка, кадмия и бериллия, формируемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии
- Исследование проводимости полупроводниковых структур методом импедансной спектроскопии
- Радиационно-физические процессы в облученных нейтронами полупроводниковых соединениях антимонида и фосфида индия