- Киев+380960830922
Вы здесь
Введите ключевые слова для поиска диссертаций:
Модификация приповерхностных слоев Si, GaN и ?-C:H облучением ионами PFn средних энергий
Тип работы:
Кандидатская
Год:
2013
Артикул:
453549 179 грн
Рекомендуемые диссертации
- Морфологические свойства нано- и микроструктур, сформированных на подложках кристаллического и пористого кремния
- Исследование газочувствительности тонких пленок оксида олова и возможности их применения для распознавания газов
- Гетероэпитаксия ZnTe, CdTe и твердых растворов CdHgTe на подложках GaAs и Si
- Диффузионные структуры на основе арсенида галлия, легированного Fe и Cr
- Разработка физических основ применения ионно-стимулированных процессов для синтеза и модификации оптических материалов
- Электронные спектры Cd Ga/2 Se/4 и Cd Ga/2 S/4 в области 2- 6 эВ
- Насыщение усиления и нелинейные эффекты в полупроводниковых лазерах с периодическими оптическими неоднородностями
- Метод Laplace-DLTS с выбором параметра регуляризации по L-кривой
- Физические принципы увеличения мощности излучения инжекционных лазеров
- Электрические и фотоэлектрические свойства полупроводниковых сплавов n-Bi1-xSbx