Ви є тут

Влияние глубоких центров на задержку лавинного пробоя p-n - перехода

Автор: 

Ионычев Валерий Константинович

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1999

Артикул:

1000218300

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Электронная структура и спектроскопия полупроводниковых и кластерных систем углерода и кремния
• Транспорт носителей заряда в проводящих полимерах вблизи перехода металл-диэлектрик
• Электрофизические свойства нетрадиционных диэлектрических слоев (ионно синтезированный SiO2 и HfO2, ZrO2, Al2O3) на поверхности кремния
• Структура и электрофизические свойства полупроводниковых металлооксидных нанокомпозитов при взаимодействии с газами
• Субнаносекундные коммутаторы на основе гетеропереходов в системе GaAs(InGaAs)-AlGaAs
• Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной
• Поверхностная миграционная нестабильность МДП - структур
• Энергетическая и спиновая динамика носителей в полупроводниковых квантовых точках
• Локализованные состояния и флуктуации в графене
• Излучательная рекомбинация дырок на уровнях размерного квантования в дельта- ?-легированном арсениде галлия