Ви є тут

Выращивание полуизолирующих кристаллов теллурида кадмия, легированного хлором, для детекторов ядерного излучения

Автор: 

Терентьев Александр Иванович

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1998

Артикул:

1000212430

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Ізовалентно заміщені борати літію і барію: синтез, структурні особливості та фізичні властивості
• Кинетика атомных преобразований кристаллической поверхности при эпитаксиальном росте и сопутствующих процессах (моделирование)
• Термоактивационные процессы с участием медленных электронных ловушек в халькогенидах цинка
• Примесная люминесценция в арсениде галлия и низкоразмерных структурах на его основе
• Структура и электрофизические свойства гетеропереходов n-SiC/p-(SiC)_1-x (AlN)_x
• Исследование электронной и атомной структуры систем Gd/GaAs(110) и Dy/GaAs(110) в широком интервале температур
• Особенности магнитной восприимчивости чистых и легированных узкощелевых полупроводников Pb1-x Snx Te, PbSe
• Создание и исследование источников спонтанного излучения на основе узкозонных гетероструктур InAsSb/InAsSbP, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
• Получение и исследование пленок твердых растворов халькогенидных стеклообразных полупроводников (As2 S3)x . (As2 Se3 )1-x на рулонной основе для оптоэлектронных устройств записи информации
• Рассеяние электромагнитной волны краевыми дислокациями в щелочногалоидных кристаллах