Ви є тут

Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs/AlGaAs/GaAs и InAs/InGaAs/InP для лазерных применений

Автор: 

Ковш Алексей Русланович

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1998

Артикул:

1000213974

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Анализ самоорганизованных наноразмерных структур в имплантированном кремнии
• Гетероструктуры в системе твердых растворов InGaAsP и лазеры на их основе
• Моделирование многостадийного термического окисления кремния и образования фиксированного заряда
• Диффузия, сегрегация и электрическая активация легирующих примесей в диффузионных и имплантационных слоях кремния
• Атомно-молекулярные и электронные процессы на поверхности полупроводников, помещенных в диссоциированные газы
• Низкотемпературная туннельная спектроскопия и сканирующая туннельная микроскопия халькогенидов свинца
• Электронные и оптические явления в системах кремниевых нанокристаллов
• Формирование тонких пленок и наноструктур в системе Mn/Si(111)
• Электрофизические, оптические и люминесцентные свойства метастабильных твердых растворов (Ge2)x(GaAs)1-x и гетеропереходы на их основе
• К теории связанных состояний дырок в алмазоподобных и гексагональных полупроводниках