Ви є тут

Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs/AlGaAs/GaAs и InAs/InGaAs/InP для лазерных применений

Автор: 

Ковш Алексей Русланович

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1998

Артикул:

1000213974

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Возбуждение радикалорекомбинационной люминесценции кристаллофосфоров пакетами активных частиц газа большой плотности
• Оптические и фотоэлектрические свойства твердых растворов арсенид кадмия - арсенид цинка в ИК-области спектра
• Формирование террасированных поверхностей арсенида галлия в равновесных условиях
• Дырочный транспорт и накопление радиационно-индуцированного заряда в подзатворном окисле моп-структур при криогенных температурах
• Атомная структура и электронные свойства границы раздела GaAs(100)-(Cs, O)
• Радиационно-термические процессы в кремниевых биполярных структурах и их влияние на электрофизические параметры
• Эффекты зарядовой компенсации в модифицированных слоях SiO_2 на кремнии
• Влияние положительного и отрицательного давления на фазовый переход в некоторых широкощельных, узкощельных и слоистых сегнетоэлектриках
• Структуры для детекторов ионизирующих излучений на основе эпитаксиального арсенида галлия
• Создание и исследование локализованных одномерных и двумерных наноструктур для систем диагностики