Вы здесь

Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs/AlGaAs/GaAs и InAs/InGaAs/InP для лазерных применений

Автор: 

Ковш Алексей Русланович

Тип работы: 

Кандидатская

Год: 

1998

Артикул:

1000213974

179 грн

Добавить в корзину

• 
• 
• 

Рекомендуемые диссертации

• Исследование физических процессов в P-I-N-гетероструктурах на основе органического полупроводника CuPc и неорганического полупроводника GaAs
• Взаимозависимость оптических свойств, кристаллической структуры и состава кристаллов CdS(O)
• Исследование физических процессов в многослойных полупроводниковых структурах, выключаемых током управления
• Исследование границы раздела и приповерхностных слоев полупроводника в системах электролит-полупроводник с помощью емкостных методов
• Стимулированное дальнее ИК-излучение в одноосно деформированном p-Ge и напряженных гетероструктурах SiGe/Si
• Размерные эффекты в мезоскопических квантовых системах
• Электронно-энергетическое строение и субструктура нанослоев SnOx
• Особенности рассеяния быстрых электронов на тепловых колебаниях при прохождении через тонкие кристаллы
• Электронный транспорт в GaAs структурах при радиационном воздействии
• Исследования волн пространственного заряда в магнитном поле в высокоомных полупроводниках