Ви є тут

Особенности рассеяния быстрых электронов на тепловых колебаниях при прохождении через тонкие кристаллы

Автор: 

Карасев Платон Александрович

Тип роботи: 

кандидатская

Рік: 

2000

Кількість сторінок: 

80

Артикул:

1000290933

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Особенности излучательной рекомбинации в p-n-гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и светодиодах на их основе
• Точечные дефекты и фотоэлектрические свойства эпитаксиальных структур Cd x Hg1-x Te, выращенных методами парофазной и молекулярно-лучевой эпитаксии
• Гетерофазные границы в поликристаллических пленках селенида и цирконата-титаната свинца, а также структурах на их основе
• Зонная структура, динамика решетки и явления переноса в некоторых сложных алмазоподобных полупроводниках
• Разработка и исследование электрических и оптических характеристик фотодетекторов ультрафиолетового диапазона спектра на основе твердых растворов Al(x)Ga(1-x)N
• Влияние внешних воздействий на структуру и некоторые физические свойства фосфида галлия и кремния
• Исследование радиационно-термических процессов формирования ионно-легированных слоёв n-GaAs
• Асимметричные гетероструктуры раздельного ограничения и мощные лазеры на их основе (?=1.6-1.85 мкм
• Исследование влияния дефектов решетки на свойства монокристаллов CdSiAs2
• Квазиклассическая динамика носителей заряда в сложных зонах полупроводников