- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Особенности излучательной рекомбинации в p-n-гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и светодиодах на их основе
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2007
Кількість сторінок:
110
Артикул:
7239 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Длительная кинетика люминесценции зона-примесь в GaAs и тв#рдых растворах на его основе
- Влияние параметров центров захвата на фотоэлектрические свойства кристаллов типа силленита
- Динамические процессы в полупроводниках с мелкими донорами в условиях примесного пробоя
- Спин-зависимые магнитооптические и фотогальванические явления в гетероструктурах на основе InAs
- Моделирование диффузии примесей в полупроводниках при неравновесных условиях
- Эффект поля, зарядовые состояния и ИК фотопроводимость в гетероструктурах на основе Si с квантовыми точками Ge
- Влияние одноосной деформации на физические свойства соединений типа Сu2S и Cu2Se
- Влияние внутренних электрических и упругих полей моно-, микро- и нанокристаллов на характеристические параметры глубоких центров в халькогенидах цинка
- Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе аресенида галлия
- Брэгговское отражение высококонтрастных фотонных кристаллов на основе композитов опал-полупроводник (GaP, GaN, GaPN)