Ви є тут

Влияние параметров центров захвата на фотоэлектрические свойства кристаллов типа силленита

Автор: 

Умрихин Владимир Васильевич

Тип роботи: 

кандидатская

Рік: 

2000

Кількість сторінок: 

159

Артикул:

1000283256

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Полупроводниковые гетероструктуры с квантовыми точками : Получение, свойства, лазеры
• Электрофизические свойства твердых растворов (SiC)1-x (AlN) x
• Оптические свойства и структура аморфного углерода
• Электронно-микроскопические исследования влияния температурных режимов роста на микроструктуру и морфологию квантовых точек в системе InAs-(Al)GaAs
• Количественный рентгеноспектральный микроанализ оксидов и халькогенидов элементов II и IV групп
• Электрические и газочувствительные характеристики полупроводниковых сенсоров на основе тонких пленок SnO2
• Образование и свойства электрически активных кислородосодержащих дефектов в термообработанных и облученных кристаллах германия
• Исследование магнитотранспорта на гетерогранице II типа в системе GaInAsSb/InAs(GaSb)
• Исследование радиационных дефектов в карбиде кремния емкостными методами
• Электрофизические и оптические свойства различных наноформ оксида олова