Ви є тут

Влияние параметров центров захвата на фотоэлектрические свойства кристаллов типа силленита

Автор: 

Умрихин Владимир Васильевич

Тип роботи: 

кандидатская

Рік: 

2000

Кількість сторінок: 

159

Артикул:

1000283256

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Исследование электрической проводимости наноструктур, образованных адсорбатами I,III групп на поверхности кремния
• Процессы синтеза и дефектообразования в тройных полупроводниках для нелинейной оптики ИК-диапазона
• Выращивание, структурные особенности и свойства монокристаллов кремния с заданной двойниковой структурой
• Исследование электрических и температурных характеристик планарно-диффузионных симисторных структур
• Исследование термодинамических свойств многокомпонентных соединений AIIIBV методом поля валентных сил
• Эффект замороженной туннельной фотопроводимости в двумерной электронной системе приповерхностного Z-легированного слоя в GaAs
• Влияние ионного обмена на фазовые равновесия в стеклах
• Энергетический спектр носителей заряда в узкощелевых полупроводниках и полуметаллах. Часть 2
• Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs
• Разработка методики и изучение ультраакустических свойств расплавов полуметаллов и полупроводников