Вы здесь

Влияние параметров центров захвата на фотоэлектрические свойства кристаллов типа силленита

Автор: 

Умрихин Владимир Васильевич

Тип работы: 

кандидатская

Год: 

2000

Количество страниц: 

159

Артикул:

1000283256

179 грн

Добавить в корзину

• 
• 
• 

Рекомендуемые диссертации

• Молекулярно-пучковая эпитаксия гибридных гетероструктур A^2 B^6/InAs для лазеров среднего ИК-диапазона
• Оптические свойства и структура аморфного углерода
• Формирование тонких пленок и наноструктур в системе Mn/Si(111)
• Периодические оптические неоднородности в полупроводниковых волноводных гетероструктурах
• Экспериментальное исследование и математическое моделирование кинетики образования и разрушения кластеров лития в германии
• Миграция электронных возбуждений и формирование спектров люминесценции в пространственно-неоднородных полупроводниковых структурах A3B5
• Оболочки с двумерным электронным газом и их магнитотранспортные свойства
• Выращивание полуизолирующих кристаллов теллурида кадмия, легированного хлором, для детекторов ядерного излучения
• Влияние отжига, электронного облучения и упругой деформации на проводимость слоев пористого кремния с различной морфологией
• Тонкая структура нульмерных экситонов