- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Молекулярно-пучковая эпитаксия гибридных гетероструктур A^2 B^6/InAs для лазеров среднего ИК-диапазона
Тип роботи:
Дис. канд. физ.-мат. наук
Рік:
2004
Артикул:
7437 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Оптическая спектроскопия легированных хромом полупроводниковых шпинелей CdIn2+S4 и ZnAl2+S4
- Многокомпонентные твердые растворы на основе GaSb и InAs, полученные из растворов-расплавов, обогащенных сурьмой
- Влияние условий роста на структуру и свойства эпитаксиальных слоев (SiC)1-x (AlN) x
- Аномальный транспорт и спиновая динамика в двумерных полупроводниковых системах
- Электронный транспорт в GaAs структурах при радиационном воздействии
- Влияние молекулярного окружения кремниевых нанокристаллов на их фотолюминесцентные свойства
- Исследование одноуровневого и многоуровневого режимов генерации в полупроводниковых лазерах на основе квантовых точек InAs/InGaAs
- Анализ областей несмешиваемости квазибинарных твердых растворов III-V и II-VI групп
- Субмиллиметровая ЛОВ-спектроскопия полупроводников и сверхпроводников
- Размерные эффекты и релаксационные явления в квазиодномерных проводниках с волной зарядовой плотности