Ви є тут

Изовалентное легирование : Управление электронными свойствами слоев GaAs и GaSb путем воздействия на систему примесей, точечных дефектов и наноразмерных кластеров

Автор: 

Чалдышев Владимир Викторович

Тип роботи: 

Докторская

Рік: 

1999

Артикул:

1000220993

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Электрофизические свойства нетрадиционных диэлектрических слоев (ионно синтезированный SiO2 и HfO2, ZrO2, Al2O3 ) на поверхности кремния
• Применение методов фотоэлектронной эмиссии на краях рентгеновского поглощения для исследования полупроводниковых структур и диэлектриков
• Халькогениды элементов четвертой группы : Получение, исследование и применение
• Исследование электронных состояний на поверхности теллура при низких температурах
• Влияние электрического поля на фотоэлектрические спектры квантово-размерных гетеронаноструктур GaAs/In(Ga)As, выращенных газофазной МОС-гидридной эпитаксией
• Субмиллиметровая ЛОВ-спектроскопия полупроводников и сверхпроводников
• Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
• Кинетика и термодинамика комплексообразования и кластеризации дефектов в кремнии и германии
• Радиационно-стимулированные и короноэлектретные изменения структуры и свойств феррогранатовых гетерокомпозиций
• Электрофизические, оптические и люминесцентные свойства метастабильных твердых растворов (Ge2)x(GaAs)1-x и гетеропереходы на их основе