Вы здесь

Изовалентное легирование : Управление электронными свойствами слоев GaAs и GaSb путем воздействия на систему примесей, точечных дефектов и наноразмерных кластеров

Автор: 

Чалдышев Владимир Викторович

Тип работы: 

Докторская

Год: 

1999

Артикул:

1000220993

179 грн

Добавить в корзину

• 
• 
• 

Рекомендуемые диссертации

• Эффект позиционного беспорядка и примесное поглощение света в полупроводниковых структурах с квантовыми ямами и точками
• Исследование влияния СВЧ-излучения высокого уровня мощности на структуры с p-n-переходом
• Развитие метода эффективной массы для III-U полупроводниковых гетероструктур
• Пространственное распределение, накопление и отжиг дефектов в ионно-легированном кремнии
• Разработка и исследование свойств гетероструктур InGaAsP/InP для когерентных излучателей с ламбда-1,3мкм
• Длительная кинетика люминесценции зона-примесь в GaAs и тв#рдых растворах на его основе
• Моделирование спектров фотопропускания и фотоотражения квантоворазмерных гетероструктур
• Спектроскопия адмиттанса полупроводниковых гетероструктур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN
• Исследование энергетических структур твердых тел тензорным методом
• Рекомбинационные процессы в однослойных массивах InAs/GaAs квантовых точек