- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Рекомбинационные процессы в однослойных массивах InAs/GaAs квантовых точек
Тип роботи:
Дис. канд. физ.-мат. наук
Рік:
2006
Артикул:
7361 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Исследование излучательных характеристик гетероструктур InGaAsP/IпР и лазеров на их основе
- Электронно-колебательные переходы с глубоких примесных центров в электрических полях контактов металл - GaAs
- Физические свойства сложных кристаллов, обусловленные длиннопериодной структурой
- Моделирование воздействия ионизирующих излучений на зарядовые свойства структур poly-Si-SiO2(P)-Si
- Особенности внутрикристаллического строения монокристаллов твердых растворов висмута с элементами IV и VI групп таблицы Д. И. Менделеева
- Явления переноса в полупроводниковых пленках
- Получение гетеропереходов теллурид цинка-фосфид индия и исследование их электрофизических свойств
- Разработка методов улучшения параметров монокристаллических элементов акустоэлектроники на основе исследования анизотропии кристаллов
- Влияние бомбардировки полупроводников заряженными частицами на их электронное возбуждение диссоциированными газами
- Квазиклассическая динамика носителей заряда в сложных зонах полупроводников