- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Моделирование воздействия ионизирующих излучений на зарядовые свойства структур poly-Si-SiO2(P)-Si
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2006
Кількість сторінок:
160
Артикул:
138307 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Напряженные квантово-размерные структуры и сверхрешетки в системе InGaAsP/InP : МОС-гидридная эпитаксия, свойства и применения в оптоэлектронных приборах
- Нестационарные и нелинейные кинетические явления в баллистических квазиодномерных наноструктурах
- Энергетическая структура многоэлектронных атомов
- Изучение состояния фоновых примесей кислорода и углерода в арсениде галлия
- Высокочастотные и тепловые свойства идеальных и примесных антиферромагнитных диэлектриков
- Создание и исследование локализованных одномерных и двумерных наноструктур для систем диагностики
- Исследование диффузии цинка из полимерных диффузантов в полупроводники A3 B5 : На примере InP
- Спиновые и кинетические явления в наноструктурах и графене
- Электронная микроскопия полупроводниковых структур с наноразмерными включениями
- Реальная структура мозаичных кристаллов в системе Ge-Si и условия ее возникновения