- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Реальная структура мозаичных кристаллов в системе Ge-Si и условия ее возникновения
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
2013
Артикул:
324586 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Разработка физических основ создания градиентных стеклообразных диэлектриков
- Электрические свойства ионно-легированных и эпитаксиальных p-n переходов на основе фосфида галлия
- Новые полупроводниковые материалы на основе соединений A3B5 для оптоэлектронных устройств на длины волн 3 - 5 мкм
- Резонансные состояния в деформированных полупроводниках
- Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах
- Спиновая релаксация в массивах туннельно-связанных Ge/Si квантовых точек
- Влияние сильного электрического поля на электронные процессы в пленках g-As2Se3
- Релаксация неравновесного обеднения на поверхности кремния при сильных электрических полях
- Механизм релаксационных процессов в поливинилиденфториде
- Морфология гетерограниц и транспорт дырок в сверхрешетках GaAs/AlAs(311)А