- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Резонансные состояния в деформированных полупроводниках
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
1998
Артикул:
1000207756 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Моделирование процессов термического отжига и высокотемпературной карбонизации пористого кремния
- Электронно-колебательные переходы с глубоких примесных центров в электрических полях контактов металл - GaAs
- Дырочный транспорт и накопление радиационно-индуцированного заряда в подзатворном окисле моп-структур при криогенных температурах
- Моделирование и экспериментальные исследования долговременных изменений параметров кремниевых структур при ионизирующем воздействии
- Фотоэлектрические свойства и фотоструктурные превращения в халькогенидных стеклообразных полупроводниках твердых растворов (As2 S3)x . (As2 Se3)1-x , легированных металлами.
- Особенности взаимодействия молекулярных пучков с поверхностью кремния в условиях выращивания слоев методом вакуумной химической эпитаксии
- Свойства горячих электронов в квантовых ямах и сверхрешетках GaAs/Al x Ga1-x As
- Лазер на межподзонных переходах горячих дырок и его применение для исследования полупроводников и наноструктур
- Количественный рентгеноспектральный микроанализ оксидов и халькогенидов элементов II и IV групп
- Катодолюминесцентные методы исследования лазерных гетероструктур на основе ZnSe