Ви є тут

Метастабильность состояния в легированных бором и фосфором пленках a-Si:H, возникающие под влиянием внешних воздействий

Автор: 

Ларина Эльвира Викторовна

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1999

Артикул:

1000210004

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Закономерности оптических и колебательных спектров твердых растворов Ti1-xCuxInS2(0≤X≤0,015)
• Исследование проводимости полупроводниковых структур методом импедансной спектроскопии
• Фотолюминесцентная спектроскопия полупроводниковых наноструктур с планарно-неоднородными слоями
• Эффективность белого свечения гетероструктур на основе твердого раствора InGaN с люминофором
• Емкостная спектроскопия электронных состояний в гетероструктурах с квантовыми ямами и квантовыми точками
• Развитие метода эффективной массы для анализа электронных состояний в полупроводниковых гетероструктурах
• Развитие метода эффективной массы для III-U полупроводниковых гетероструктур
• Преципитация бора в кремнии при имплантации и отжиге : расслоение на стадии Оствальдовского созревания
• Морфология гетерограниц и транспорт дырок в сверхрешетках GaAs/AlAs(311)А
• Формирование террасированных поверхностей арсенида галлия в равновесных условиях