Ви є тут

Развитие емкостных методов измерения профилей легирования полупроводниковых структур

Автор: 

Уткин Алексей Борисович

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1999

Артикул:

1000222924

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Акустооптическая брэгговская дифракция многокомпонентного оптического излучения
• Энергетическая структура многоэлектронных атомов
• Трехканальный детектор на основе РОС гетеролазеров InGaAs для мониторинга
• Люминесценция и преобразование энергии в минералах, керамиках и катализаторах при лазерном и рентгеновском возбуждении
• Влияние спонтанной поляризации на энергетические характеристики гетероструктур на основе политипов карбида кремния
• Создание и исследование источников спонтанного и когерентного излучения на основе AIIIBV для средней ИК-области спектра (λ=2-5 мкм)
• Исследование структуры поверхности кремния по оптическому отражению
• Влияние адсорбционных покрытий на фотолюминесценцию пористого кремния
• Моделирование переходных процессов в силовых полупроводниковых приборах
• Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе аресенида галлия