Ви є тут

Исследование энергетических и временных параметров фазовых переходов в халькогенидном соединении Ge2Sb2Te5

Автор: 

Митрофанов Кирилл Валентинович

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

2012

Артикул:

1005450101

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Радиационная модификация свойств узкозонных полупроводников КРТ и структур на его основе для фотоприемников ИК диапазона
• Создание варизонных Ga1-xAlxSb фотоэлектрических Р-П-структур и фотопреобразователей
• Электрооптические свойства спиральной смектической С-фазы жидкого кристалла
• Фотоэмиссионные исследования электронной структуры халькогенидных стеклообразных полупроводников
• Электронные состояния в GaAs и в гетероструктурах Ga2Se3/GaAs
• Процессы испарения и кристаллизации окисных сло#в на германии
• Физико-химические процессы в МОП-структурах, облученных альфа- и бета-частицами
• Исследование фотосенсибилизированной генерации синглетного кислорода в ансамблях кремниевых нанокристаллов
• Оптические и магнитооптические свойства халькогенидов галлия, индия и германия
• Моделирование переходных процессов в силовых полупроводниковых приборах