Ви є тут

Фотоэлектрические и рекомбинационные свойства эпитаксиальных структур на основе HgCdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Автор: 

Денисов Юрий Алексеевич

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1998

Артикул:

1000199839

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Исследование пленок нитрида галлия, выращенных методом хлоридгидридной газофазной эпитаксии
• Акустоэлектронное детектирование и усиление сигналов в знакопеременном электрическом поле
• Анализ самоорганизованных наноразмерных структур в имплантированном кремнии
• Получение и исследование пленок твердых растворов халькогенидных стеклообразных полупроводников (As2 S3)x . (As2 Se3 )1-x на рулонной основе для оптоэлектронных устройств записи информации
• Колебательные спектры сложных халькогенидных соединений
• Взаимосвязь транспортных, структурных и магнитных свойств слабодопированного магнитного полупроводника La_1-x Sr_x MnO_3 (X=0,175)
• Електронна поляризовність одновісно навантажених кристалів K2Zn4Cl4 з несумірною фазою
• Суперпарамагнетизм и сверхпроводимость в системе 3d-центров
• Влияние электрического поля на скорость оптических и термических переходов с глубоких уровней в арсениде галлия
• Исследование структурных и электрофизических характеристик пленок на основе α-Si:H, полученных в плазме НЧ разряда