Вы здесь

Фотоэлектрические и рекомбинационные свойства эпитаксиальных структур на основе HgCdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Автор: 

Денисов Юрий Алексеевич

Тип работы: 

Кандидатская

Год: 

1998

Артикул:

1000199839

179 грн

Добавить в корзину

• 
• 
• 

Рекомендуемые диссертации

• Кинетические свойства размерно-квантованных систем в электрическом и магнитном полях
• Пикосекундные инжекционные лазеры с пассивной модуляцией добротности и синхронизацией мод
• Герметичные модули для термопарных (ХА) кабелей гермовводов на основе стеклокристаллических и керамических материалов
• Электронная микроскопия полупроводниковых структур с наноразмерными включениями
• Влияние субмонослойных металлических пленок на работу выхода полупроводниковых материалов
• Влияние внешних воздействий на диэлектрические и оптические свойства сегнетоэлектриков с различным электронным спектром
• Поляризационные исследования рекомбинационного излучения монокристаллов тройных полупроводников с анизотропной структурой
• Физико-химические процессы в расплаве на границах раздела фаз при направленной кристаллизации оксидных соединений
• Исследование влияния СВЧ-излучения высокого уровня мощности на структуры с p-n-переходом
• Центры рекомбинации в нелегированном и сильно легированном акцепторами эпитаксильном GaAs