Терагерцовая спектроскопия материалов с электронными корреляциями

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА I. ОСОБЕННОСТИ ЭЛЕКТРОДИНАМИЧЕСКОГО ОТКЛИКА
МАТЕРИАЛОВ С ЭЛЕКТРОННЫМИ КОРРЕЛЯЦИЯМИ
1.1. Оптические свойства друдевского проводника
1.2. Волны зарядовой плотности в одномерных проводниках
1.3. Энергетическая щель и куперовский конденсат в спектрах БКШ
сверхпроводника
1.4. Эффекты перенормировки в тяжлофермионных соединениях.
1.5. Спиновые лестницы и цепочки одномерные системы с сильным электрон
электронным взаимодействием
ГЛАВА И. МЕТОДЫ ТЕРАГЕРЦОВОЙ ЛОВСПЕКТРОСКОПИИ ПРОВОДЯЩИХ
МАТЕРИАЛОВ
2.1. Методы терагерцовой диэлектрической спектроскопии твердых тел.
2.2. Метод диэлектрической ЛОВспектросконии.
2.3. ЛОВспектроскопия проводящих плнок на диэлектрических подложках
2.4. ЛОВспектроскопия проводников с применением метода диэлектрического
пробника.
2.5. Измерение на ЛОВспектрометрах спектров коэффициента отражения от
поверхности полубесконечных образцов.
2.6. Панорамная диэлектрическая спектроскопия
ГЛАВА III. ТЕРАГЕРЦОВАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ СОСТОЯНИЯ С ВОЛНОЙ
ЗАРЯДОВОЙ ПЛОТНОСТИ В НИЗКОРАЗМЕРНЫХ ПРОВОДНИКАХ
3.1. Флуктуации волн зарядовой плотности и парапроводимость в
низкоразмерных проводниках.
3.2. ВЗПфлуктуации в гсрагерцовых спектрах диэлектрического отклика
одномерного проводника ПТТСЫС.
3.3. ВЗПфлуктуации в терагерцовых спектрах диэлектрического отклика
одномерных проводников К0.3М0О3 и ТаБеГ.
3.4. Двумерный проводник 1ТТа ВЗПпарапроводимость
3.5. Электронные свойства одномерных проводников семейства 8гЫЬОз.5х
ГЛАВА IV. ДИНАМИКА НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В СПИНЛЕСПШЧНОМ
СОЕДИНЕНИИ 5г,4хСахСи1.
4.1. Физические свойства спинлестничных купратов семейства
8п4хСахСи1
4.2. Обнаружение волны зарядовой плотности в подсистеме Си2Озлесенок
4.3. Подавление состояния с волной зарядовой плотности в 8г.хСахСи1 при
легировании кальцием.
4.4. Динамика носителей в СиСЬцепочках Еау8г4.х.уСахСи1.
ГЛАВА V. ТЕРАГЕРЦОВАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ
СВЕРХПРОВОДНИКОВ
5.1. Оптическая спектроскопия высокотемпературных сверхпроводников
5.2. Аномальное поглощение электромагнитного излучения в
сверхпроводящей фазе высокотемпературных сверхпроводников
5.3. Терагерцовыеинфракрасные спектры монокристалла ГазБго СО4
сверхпроводящий конденсат и остаточное поглощение
5.4. Поперечный джозефсоновский плазмон в ВТСПкулрате
8шЬао 8го.Си5.
ГЛАВА VI. ТЕРАГЕРЦОВАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ ОСНОВНОГО СОСТОЯНИЯ В СОЕДИНЕНИЯХ С ТЯЖЛЫМИ ФЕРМИОНАМИ И С ПРОМЕЖУТОЧНОЙ ВАЛЕНТНОСТЬЮ.
6.1. Магнитное упорядочение и сверхпроводимость в тяжлых фермионах.
6.2. Природа тяжлых квазичастиц в соединениях ТЛМгАЬ и Г1Р1з.
6.3. Электродинамические свойства когерентного состояния в
полупроводниках с промежуточной валентностью тВб и УЬВ.
6.3Л. Терагерцовая диэлектрическая спектроскопия гексаборида самария 8тВбЛ
6.3.2. Терагерцовая диэлектрическая спектроскопия додекаборида иттербия
6.4. О природе тонкой структуры гибридизационной щели в 8гпВ6 и УЬВ
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ